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2N7000BU中文资料

2N7000BU图片

2N7000BU外观图

  • 大小：437KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：200mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：30pF @ 25V
  • 功率 - 最大：400mW
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装：TO-92-3
  • 包装：散装

2N7000BU供应商

更新时间:2023-01-15 01:49:58
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